1.特种气体 (Specialty gases) ：指那些在特定范畴中应用的, 对气体有特殊恳求的纯气、高纯气或由高纯单质气体配制的二元或多元混合气。特种气体门类繁多, 通�？汕治缱悠�、标准气、环保气、医用气、焊接气、杀菌气等, 普遍用于电子、电力、石油化工、采矿、钢铁、有色金属冶炼、热力工程、生化、环境监测、医学研讨及诊断、食品保鲜等范畴。
2. 标准气体 (Standard gases) ：标准气体属于标准物质。标准物质是高度均匀的、良好稳定和量值)准确的测定标准, 它们具有复现、保管和传送量值的基本作用, 在物理、化学、生物与工程丈量范畴中用于校准丈量仪器和丈量过程, 评价丈量方法的准确度和检测实验室的检测才干, 肯定材料或产品的特性量值, 中止量 值仲裁等。大型乙烯厂、合成氨厂及其它石化企业, 在装置开车、停车和正常消费过程中需求几十种纯气和几百种多组分标准混合气, 用来校准、定标消费过程中运用的在线分析仪器和分析原料及产质量量的仪器。标准气还可用于环境监测, 有毒的有机物丈量, 汽车排放气测试, 自然气BTU 丈量, 液化石油气校正轨范, 超临界流体工艺等。标准气视气体组分数区分为二元、三元和多元标准气体; 配气准度恳求以配气允差和分析允差来表征;比较通用的有SE2M I 配气允差标准, 但各公司均有企业标准。组分的最低浓度为10- 6级, 组分数可多达20余种。配制方法可采用重量法, 然后用色谱分析校核, 也可按标准传送程序中止传送。
3、电子气体 (Elect ron ic gases) ：半导体工业用的气体统称电子气体。按其门类可分为纯气、高纯4 _6 m+ p- _4气和半导体特殊材料气体三大类。特殊材料气体主要用于外延、掺杂和蚀刻工艺；高纯气体主要用作稀释气和运载气。电子气体是特种气体的一个重要分支。电子气体按纯度等级和运用场所，可分为电子级、L S I (大范围集成电路) 级、VL S I (超大范围集成电路) 级和UL S I (特大范围集成电路)级。
4. 外延气体 (Cp itax ial gases) ：在认真选择的衬底上采用化学气相淀积(CVD) 的方法生长一层或多层材料所用气体称为外延气体。硅外延气体有4 种, 即硅烷、二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅, 主要用于外延硅淀积, 多晶硅淀积, 淀积氧化硅膜, 淀积氮化硅膜, 太阳电池和其他光感受器的非晶硅膜淀积。外延生长是一种单晶材料淀积并生长在衬底表面上的过程。此外延层的电阻率常常与衬底不同。
5. 蚀刻气体 (Etch ing gases) ：蚀刻就是把基片上无光刻胶掩蔽的加工表面如氧化硅膜、金属膜等蚀刻掉, 而使有光刻胶掩蔽的区域保管下来, 这样便在基片表面得到所需求的成像图形。蚀刻的基本恳求是, 图形边缘划一, 线条明晰, 图形变换差小, 且对光刻胶膜及其掩蔽维护的表面无损伤和钻蚀。蚀刻方式有湿法化学蚀刻和干法化学蚀刻。干法蚀刻所用气体称蚀刻气体, 通常多为氟化物气体, 例如四氟化碳、三氟化氮、六氟乙烷、全氟丙烷、三氟甲烷等。干法蚀刻由于蚀刻方向性强、工艺控制精确、便当、无脱胶现象、无基片损伤和沾污, 所以
其应用范围日益普遍。
1. 特种气体 (Specialty gases) ：指那些在特定范畴中应用的, 对气体有特殊恳求的纯气、高纯气或由高纯单质气体配制的二元或多元混合气。特种气体门类繁多, 通�？汕治缱悠�、标准气、环保气、医用气、焊接气、杀菌气等, 普遍用于电子、电力、石油化工、采矿、钢铁、有色金属冶炼、热力工程、生化、环境监测、医学研讨及诊断、食品保鲜等范畴。
2、标准气体 (Standard gases) ：标准气体属于标准物质。标准物质是高度均匀的、良好稳定和量值准确的测定标准, 它们具有复现、保管和传送量值的基本作用, 在物理、化学、生物与工程丈量范畴中用于校. d( [准丈量仪器和丈量过程, 评价丈量方法的准确度和检测实验室的检测才干, 肯定材料或产品的特性量值, 中止量值仲裁等。大型乙烯厂、合成氨厂及其它石化企业, 在装置开车、停车和正常消费过程中需求几十种纯气和几+百种多组分标准混合气, 用来校准、定标消费过程中运用的在线分析仪器和分析原料及产质量量的仪器。标准气还可用于环境监测, 有毒的有机物丈量, 汽车排放气测试, 自然气BTU 丈量, 液化石油气校正轨范, 超临界流体工艺等。标准气视气体组分数区分为二元、三元和多元标准气体; 配气准度恳求以配气允差和分析允差来表征;比较通用的有SE2M I 配气允差标准, 但各公司均有企业标准。组分的最低浓度为10- 6级, 组分数可多达20余种配制方法可采用重量法, 然后用色谱分析校核, 也可按标准传送程序中止传送。
3、 电子气体 (Elect ron ic gases) ：半导体工业用的气体统称电子气体。按其门类可分为纯气、高纯气和半导体特殊材料气体三大类。特殊材料气体主要用于外延、掺杂和蚀刻工艺；高纯气体主要用作稀释气和运载气。电子气体是特种气体的一个重要分支。电子气体按纯度等级和运用场所，可分为电子级、L S I (大范围集成电路) 级、VL S I (超大范围集成电路) 级和UL S I (特大范围集成电路)级。
4. 外延气体 (Cp itax ial gases) ：在认真选择的衬底上采用化学气相淀积(CVD) 的方法生长一层或多层材料所用气体称为外延气体。硅外延气体有4 种, 即硅烷、二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅, 主要用于外延硅淀积, 多晶硅淀积, 淀积氧化硅膜, 淀积氮化硅膜, 太阳电池和其他光感受器的非晶硅膜淀积。外延生长是一种单晶材料淀积并生长在衬底表面上的过程。此外延层的电阻率常常与衬底不同。
5. 蚀刻气体 (Etch ing gases) ：蚀刻就是把基片上无光刻胶掩蔽的加工表面如氧化硅膜、金属膜等蚀刻掉, 而使有光刻胶掩蔽的区域保管下来, 这样便在基片表面得到所需求的成像图形。蚀刻的基本恳求是, 图形边缘划一, 线条明晰, 图形变换差小, 且对光刻胶膜及其掩蔽维护的表面无损伤和钻蚀。蚀刻方式有湿法化学蚀刻和干法化学蚀刻。干法蚀刻所用气体称蚀刻气体, 通常多为氟化物气体, 例如四氟化碳、三氟化氮、六氟乙烷、全氟丙烷、三氟甲烷等。干法蚀刻由于蚀刻方向性强、工艺控制精确、便当、无脱胶现象、无基片损伤和沾污, 所以其应用范围日益普遍。
6. 掺杂气体(Dopant Gases)：在半导体器件和集成电路制造中, 将某种或某些杂质掺入半导体材料内, 以使材料具有所需求的导电类型和一定的电阻率, 用来制造PN结、电阻、埋层等。掺杂工艺所用的气体掺杂源被称为掺杂气体。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氯化硼和乙硼烷等。通常将掺杂源与运载气体(如氩气和氮气) 在源柜中混合, 混合后气流连续流入扩散炉内环绕晶片四周, 在晶片表面堆积上化合物掺杂剂, 进而与硅反响生成掺杂金属而徙动进入硅。
7. 熏蒸气体(Sterilizing Gases) ：具有杀菌作用的气体称熏蒸气体。常用的气体品种有环氧乙烷、磷烷、溴甲烷、溴甲醛、环氧丙烷等。其灭菌原理是应用烷化作用, 使微生物组织内维持生命不可缺少的物质惰化。最经常运用的是以不同比例配制的环氧乙烷和二氧化碳的混合气, 根据用途不同, 环氧乙烷的含量可以是10 %、20 %和30 %等。也可采用环氧乙烷和氟利昂12 的混合气,环氧乙烷与氟利昂11 和氟利昂12 的混合气等。杀菌效果与各组分浓度、温度、湿度、时间和压力等要素有关。熏蒸气体可以用于卫生材料、医疗用具、化装品原料、动物饲料、粮食、纸钞、香辣
8. 焊接维护气体(Welding Gases)：气体维护焊由于具有焊接质量好, 效率高, 易完成自动化等优点而得以疾速展开。焊接维护气体可以是单元气体, 也有二元、三元混合气。采用焊接维护气的目的在于进步焊缝质量, 减少焊缝加热作用带宽度, 避免材质氧化。单元气体有氩气、二氧化碳, 二元混合气有氩和氧, 氩和二氧化碳, 氩和氦, 氩和氢混合气。三元混合气有氦、氩、二氧化碳混合气。应用中视焊材不同选择不同配比的焊接混合气。
9. 离子注入气( Gases for Ion Implantation)：离子注入是把离子化的杂质, 例如P + 、B + 、As+加速到高能量状态,然后注入到预定的衬底上。离子注入技术在控制V th(阈值电压) 方面应用得最为普遍。注入的杂质量可经过丈量离子束电流而求得。离子注入工艺所用气体称离子注入气, 有磷系、硼系和砷系气体。
10. 非液化气体(Nonliquefied Gases)：紧缩气体依据于一定压力和温度下在气瓶中的物理状态和沸点范围可以区分为两大类, 即液化气体和非液化气体。非液化气体系指除溶解在溶液中的气体之外, 在2111 ℃和罐装压力下完好是气态的气体。也可定义为在正�？罩形露群�13789～17237kPa 压力下不液化的气体。
11. 液化气体( Liquefied Gases )：在2111 ℃和罐装压力下部分液化的气体�；蚨ㄒ逦谡Ｎ露群�172142～17237kPa 压力下在气瓶中液化的气体。紧缩气体(Compressed Gases) 紧缩气体是指在2111 ℃下, 在气瓶中绝对压力超越27518kPa 的任何气体或混合物; 或与2111 ℃下的压力无关, 于5414 ℃下绝对压力超越717kPa 的任何气体或混合物; 或于3718 ℃下气体绝对压力超27518kPa 的任何液体。
12. 稀有气体(Rare Gases)：元素周期表最后一族的六种惰性气体中的任何一种气体, 即氦、氖、氩、氪、氙、氡。前五种气体均可以空气分别方法从空气中提取。
13. 低压液化气体(Low P ressu re L iquef ied Gases) ：临界温度大于70℃的气体。区分为不燃无毒和不燃有毒、酸性腐蚀性气体; 可燃无毒和可燃有毒、酸性腐蚀性气体; 易合成或聚合的可燃气体。此类气体在充装时以及在允许的工作温度下贮运和运用过程中均为液态。包括的气体品种有一氟二氯甲烷、二氟氯甲烷、二氟二氯甲烷、二氟溴氯甲烷、三氟氯乙烷、四氟二氯乙烷、五氟氯乙烷、八氟环丁烷、六氟丙烯、氯、三氯化硼、光气、氟化氢、溴化氢、二氧化硫、硫酰氟、二氧化氮、液压石油气、丙烷、环丙烷、丙烯、正丁烷、异丁烷、1- 丁烯、异丁烯、顺- 2-丁烯、反- 2- 丁烯、R142b、R 143a、R152a、氯乙烷、二甲醚、氨、乙胺、一甲胺、二甲胺、三甲胺、甲硫醇、硫化氢、氯甲烷、溴甲烷、砷烷、1, 3—丁二烯、氯乙烯、环氧乙烷、乙烯基甲醚、溴乙烯。
14. 高压液化气体(H igh P ressu re L iquef iedGases) ：临界温度大于或等于- 10℃且小于或等于70℃的气体。区分为不燃无毒和不燃有毒气体; 可燃无毒和自燃有毒气体; 易合成或聚合的可燃气体。此类气体充装时为液态,但在允许的工作温度下贮运和运用过程中其蒸汽压随温度的升高而升高, 超越临界温度时蒸发为气体。所包括的气体品种有一氧化二氮、二氧化碳、三氟甲烷、三氟氯甲烷、三氟溴甲烷、六氟乙烷、六氟化硫、氙、氯化氢、乙烷、乙烯、1, 1- 二氟乙烯、硅烷、磷烷、氟乙烯、乙硼烷。
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